- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360969 > IRL611 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL611 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 150伏五（巴西）直| 2.6AI（四）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | IRL611 |
IRL610S
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
6
0
2
4
6
V
DS
= 160 V
V
DS
=100 V
V
DS
= 40 V
@ Notes : I
D
= 3.3 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
60
120
180
240
300
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
3
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL610S | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| IRL621 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRL624 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | SO |
| IRL631 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRL640S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL620 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL620A | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL620PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL620S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL620S | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。