参数资料
型号: IRL80A
元件分类: 红外LED
英文描述: 1.52 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
封装: LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 1/5页
文件大小: 216K
代理商: IRL80A
IRL 80 A
GaAs-Infrarot-Sendediode
GaAs Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
2007-08-06
1
Wesentliche Merkmale
GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich
Klares Miniaturkunststoffgehuse, seitliche
Abstrahlung
Preiswertes Kunststoffgehuse
Lange Lebensdauer (Langzeitstabilitt)
Weiter ffnungskegel (
± 30°)
Passend zu Fototransistor LPT 80 A
Anwendungen
Fertigungs- und Kontrollanwendungen der
Industrie, die eine Unterbrechung des
Lichtstrahls erfordern
Lichtschranken
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
IRL 80 A
Q68000A7851
Features
GaAs infrared emitting diode
Clear plastic package with lateral emission
Low cost plastic package
Long term stability
Wide beam (
± 30°)
Matches phototransistor LPT 80 A
Applications
For a variety of manufacturing and monitoring
applications which require beam interruption
Light barriers
相关PDF资料
PDF描述
IRL81A 1.52 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
IRM-2636AF4 LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
IRM-2636T-E LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
IRM-2636V LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
IRM-2640V LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL81 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
IRL8113 功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL8113L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL8113LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL8113PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube