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参数资料
| 型号： | IRLD110 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | IRLD110 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI2203N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI2203 | TERMINAL |
| IRLI2203G | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A) |
| IRLI2910 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI3615 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLD110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLD120 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLD120PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLF110 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
| IRLF120 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-39 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 5.3A 3PIN TO-39 - Rail/Tube |
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