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参数资料
型号： IRLI2203G
厂商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A)
中文描述： 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 0.010ohm，身份证\u003d 52A条）
文件页数： 2/8页
文件大小： 328K
代理商： IRLI2203G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
––– 0.039 –––
–––
––– 0.010
–––
––– 0.015
1.0
–––
44
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.1
–––
110
–––
110
–––
100
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA, T
J
>-40°C
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 31A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 26A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 55A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 10V
V
GS
= -10V
I
D
= 46A, V
DS
= 24V, V
GS
= 5.0V
I
D
= 55A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 15V
I
D
= 55A
R
G
= 5.0
R
D
= 0.26
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
= 1.0MHz
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
2.0
–––
25
250
100
-100
85
150
23
36
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
C
iss
C
oss
C
rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
––– 3700
––– 1700
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
310
12
pF
IRLI2203G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
μA
nA
nH
ns
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 55A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
59
0.11
1.6
89
0.17
V
ns
μC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
210
–––
–––
52
A
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
55A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
t=60s, =60Hz
Q
g
Total Gate Charge
nC
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 20μH
R
G
= 25
, I
AS
= 55A. (See Figure 12)
Caculated continuous current based on maximum allowable junction temperature;
for recomended current-handling of the package refer to Design Tip # 93-4
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