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参数资料
| 型号： | IRLI3103 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRLI3103 |
IRLI3103
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 175
o
C
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 25
o
C
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
VGS
2.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
VGS
2.5V
1
10
100
1000
2.0
3.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
T = 25°C
J
D
I
T = 175°C
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 56A
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PDF描述 |
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