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参数资料
| 型号： | IRLI3615PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | IRLI3615PBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
140
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
8.4A
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1ms
1
0ms
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
100μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLI3705G | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220VAR |
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| IRLI3705NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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