参数资料
型号: IRLI3705G
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 50V五(巴西)直| 45A条(丁)|对220VAR
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代理商: IRLI3705G
IRLI3103
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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PDF描述
IRLI3103 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管)
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IRLI530G TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | SOT-186
IRLI540G
IRLI540N 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRLI3803PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube