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参数资料
| 型号： | IRLI3705N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | IRLI3705N |
IRLI3705N
PART NUMBER
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
WW = WEEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
A
Part Marking Information
TO-220 Fullpak
Package Outline
TO-220 Fullpak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
L EA D AS SIGN MENTS
1 - GA TE
2 - DRAIN
3 - SO URCE
NO TES :
1 DIME NSION ING & TO LER ANCING
2 CO NTROLL ING DIMEN SION: INCH.
D
C
A
B
MINIMUM CRE EP AG E
DISTA NCE B ETW E EN
A -B -C-D = 4.80 (.189 )
3X
2.85 (.1 12)
2.65 (.1 04)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
4.80 (.189 )
4.60 (.181 )
7.10 (.280 )
6.70 (.263 )
3 .40 (.1 33)
3 .10 (.1 23)
- A -
3.7 0 (.145)
3.2 0 (.126)
1.15 (.045)
MIN.
3.30 (.130)
3.10 (.122)
- B -
0.90 (.035 )
0.70 (.028 )
3X
0.25 (.010)
M
A M B
2 .5 4 (.100)
2X
3X
13 .7 0 (.540)
13 .5 0 (.530)
16 .0 0 (.630)
15 .8 0 (.622)
1 2 3
10.60 (.417 )
10.40 (.409 )
1.40 (.05 5)
1.05 (.04 2)
0.48 (.019 )
0.44 (.017 )
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI3705 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI3803 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI520N | Power MOSFET |
| IRLI520 | Power MOSFET |
| IRLI530N | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI3705NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
| IRLI3705NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI3803 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLI3803PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
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