型号: | IRLI3705NPBF |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢Power MOSFET |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 3/9页 |
文件大小: | 1371K |
代理商: | IRLI3705NPBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRLI3803PBF | HEXFET Power MOSFET |
IRLI520NPBF | HEXFET Power MOSFET |
IRLI530GPBF | HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16ヘ , ID=9.7A ) |
IRLI530NPBF | HEXFET Power MOSFET |
IRLI540N | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRLI3803 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRLI3803PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
IRLI510ATU | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLI520 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET |