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参数资料
| 型号： | IRLI520G |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五（巴西）直| 7.2AI（四）|的SOT - 186 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | IRLI520G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI530G | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | SOT-186 |
| IRLI540G | |
| IRLI540N | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package |
| IRLI640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
| IRLW640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI520GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI520N | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLI520NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRLI520NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI530A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
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