参数资料
型号: IRLI530GPBF
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16ヘ , ID=9.7A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 100V的,的RDS(on)\u003d 0.16ヘ,身份证\u003d 9.7A)
文件页数: 2/7页
文件大小: 944K
代理商: IRLI530GPBF
2
www.irf.com
相关PDF资料
PDF描述
IRLI530NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLI540N HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管)
IRLIB4343 DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLIB9343PBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLIZ24NPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRLI530N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLI530NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI540A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLI540ATU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI540G 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube