IRLI640A PDF资料下载(2/6 页)TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS

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参数描述

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IRLIB4343

功能描述:MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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型号：	IRLI640A
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-262AA
中文描述：	晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 200伏五（巴西）直\| 18A条（丁）\|对262AA
文件页数：	2/6页
文件大小：	346K
代理商：	IRLI640A

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