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参数资料
| 型号： | IRLL014 |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(158.50 k) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（158.50十一） |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | IRLL014 |
IRLL014N
www.irf.com
5
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
+
-
V
DS
10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
10V
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
S INGLE PU LSE
(THE RMAL RES PONSE )
A
T
t
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
D M
thJA
A
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PDF描述 |
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