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参数资料
| 型号： | IRLR010 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 50V五（巴西）直| 6.7AI（四）|至252 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 250K |
| 代理商： | IRLR010 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
| IRLR020 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-252 |
| IRLR024A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA |
| IRLR034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-252AA |
| IRLU010 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR014 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLR014A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
| IRLR014N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLR014NPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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