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参数资料
| 型号： | IRLR014NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 265pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 28W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLR014NPBF |
IRLR/U014NPbF
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
E XAMPLE: T HIS IS AN IRF U120
WIT H AS SEMBLY
LOT CODE 5678
ASS EMBLED ON WW 19, 2001
IN T HE AS SEMBLY LINE "A"
Note: "P" in as s embly line pos ition
indicates Lead-Free"
INT ERNAT IONAL
RE CT IF IER
LOGO
ASSE MBLY
LOT CODE
IRF U120
119A
56 78
PART NUMBER
DAT E CODE
YE AR 1 = 2001
WEEK 19
LINE A
OR
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
ASS EMBLY
LOT CODE
IRF U120
56 78
PART NUMBER
DAT E CODE
P = DESIGNAT ES LE AD-FREE
PRODUCT (OPT IONAL)
YEAR 1 = 2001
WEEK 19
A = ASS EMBLY SIT E CODE
Notes:
1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/
2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| IRLR014NTR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR014NTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR014NTRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR014NTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR014NTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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