参数资料
型号: IRLR110TRR
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 540 毫欧 @ 2.6A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110
Vishay Siliconix
V DS
R D
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
5.0 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 91323
S10-1139-Rev. C, 17-May-10
www.vishay.com
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PDF描述
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IRLR120A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
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