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参数资料
| 型号： | IRLR2705TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U2705
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
-A-
1.27 (.050)
0.88 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
4
6.45 (.245)
5.68 (.224)
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
1.52 (.060)
1.15 (.045)
6.22 (.245)
5.97 (.235)
4 - DRAIN
-B-
1
2
3
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2.28 (.090)
1.91 (.075)
9.65 (.380)
8.89 (.350)
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOWN ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
3X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
2.28 (.090)
2X
0.25 (.010)
M A M B
0.58 (.023)
0.46 (.018)
Part Marking Information
TO-251AA (I-PARK)
EXAMPLE : THIS IS AN IRFU120
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 9U1P
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
IRFU
120
FIRST PORTION
OF PART NUMBER
www.irf.com
ASSEMBLY
LOT CODE
9U
1P
SECOND PORTION
OF PART NUMBER
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR2905TRR | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRLR3103TRR | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| IRLR3303TRRPBF | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| IRLR3303TRR | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| IRLR3410TRR | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR2705TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 28A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR2705TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR2705TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR2705TRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR2705TRR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 24A, 40 mOhm, 16.7 nC Qg, Logic Level, D-Pak |
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