参数资料
型号: IRLR2905TRL
厂商: International Rectifier
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
标准包装: 3,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRLR/U2905
Tape & Reel Information
TO-252AA
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TR
1 6.3 ( .641 )
1 5.7 ( .619 )
TRR
TRL
16 .3 ( .641 )
15 .7 ( .619 )
12 .1 ( .4 76 )
11 .9 ( .4 69 )
F E E D D IR E C T IO N
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
F E E D D IR E C T IO N
NO T ES :
1. C O N T R O LL IN G D IM E N S IO N : M ILLIM E T E R .
2. A LL D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M ILL IM E T E R S ( IN C H E S ).
3. O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 81 & E IA -54 1.
13 IN C H
16 m m
NOTES :
1. O U T LIN E C O N F O R M S T O E IA -481 .
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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Data and specifications subject to change without notice. 12/00
10
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参数描述
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IRLR2905Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件