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参数资料
| 型号： | IRLR3303TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRLR3303PBFDKR |
IRLR/U3303PbF
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
1
2.5V
1
T J = 175°C
0.1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25°C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
A
0.1
0.1
20μs PULSE WIDTH
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
A
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
2.0
I D = 34A
100
10
1
T J = 25°C
T J = 175°C
1.5
1.0
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V DS = 15V
20μs PULSE WIDTH
7 8 9 10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
A
80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3707TRPBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
| UB26NBKW015F-FF | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 5A 125V |
| B32021A3562M | CAP FILM 5600PF 1.5KVDC RADIAL |
| UB26NBKW015F-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 5A 125V |
| B32652A2102J | CAP FILM 1000PF 2KVDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3303TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR3303TRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3410 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRLR3410CPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR3410PBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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