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参数资料
| 型号： | IRLR3715ZCPBFTRL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 49 A, 20 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | IRLR3715ZCPBFTRL |
www.irf.com
1
02/23/06
IRLR3715ZCPbF
IRLU3715ZCPbF
HEXFET Power MOSFET
Notes
through are on page 11
Applications
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l Lead-Free
VDSS RDS(on) max Qg
20V
11m
:
7.2nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
IDM
Pulsed Drain Current
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
W
PD @TC = 100°C Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
W/°C
TJ
Operating Junction and
°C
TSTG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC
Junction-to-Case
–––
3.75
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
g
–––
50
RθJA
Junction-to-Ambient
–––
110
40
0.27
20
Max.
49
f
35
f
200
± 20
20
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
D-Pak
IRLR3715ZCPbF
I-Pak
IRLU3715ZCPbF
PD - 96053
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR3715ZCPBFTR | 49 A, 20 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRLU024PBF | 14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRM-2638S18 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| IRM-3638N3F6 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| IRM-3638 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3715ZCTRLP | 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3715ZCTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3715ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 49A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 49A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRLR3715ZPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 7.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3715ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 49A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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