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参数资料
| 型号： | IRLR4343TRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U4343PbF & IRLU4343-701PbF
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
?
-
-
?
+
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
?
R G
?
?
?
?
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Re-Applied
Voltage
Curent
Inductor Inductor
Current
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple ≤ 5%
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 16. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
15V
V DS
L D
I SD
VDS
L
DRIVER
+
V DD -
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
V GS
Pulse Width < 1μs
D.U.T
Duty Factor < 0.1%
Fig 17a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (BR)DSS
Fig 18a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
10%
V GS
I AS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 17b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 18b. Switching Time Waveforms
Id
Vds
Vgs
L
VCC
0
1K
DUT
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
6
Fig 19a. Gate Charge Test Circuit
Fig 19b Gate Charge Waveform
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECC15DJWB | CONN EDGECARD 30PS .100 PRESSFIT |
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| ECC15DJBB | CONN EDGECARD 30PS .100 PRESSFIT |
| R7011404XXUA | RECTIFIER 1400V 450A |
| 3269W-1-503 | TRIMMER 50K OHM 0.25W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRLR6225TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 100A 4.0mOhm 2.5V dr cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR7807Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLR7807ZCPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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