参数资料
型号: IRLR8503
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
产品目录绘图: IR Hexfet DPak
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 44A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1650pF @ 25V
功率 - 最大: 62W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRLR8503
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
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PDF描述
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