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参数资料
| 型号： | IRLR8503TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR8503PbF
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRFR120
WITH AS S EMBLY
LOT CODE 1234
AS S EMBLED ON WW 16, 1999
IN THE AS S EMBLY LINE "A"
Note: "P" in as sembly line pos ition
indicates "Lead-Free"
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
AS S EMBLY
LOT CODE
IRFU120
916A
12 34
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
LINE A
OR
www.irf.com
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
AS S EMBLY
LOT CODE
IRFU120
12 34
PART NUMBER
DATE CODE
P = DES IGNAT ES LEAD-FREE
PRODUCT (OPT IONAL)
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = AS S EMBLY S ITE CODE
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR8503TRR | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| IRLR8715CPBF | MOSFET N-CH 25V 51A DPAK |
| IRLS640A | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F |
| IRLTS6342TRPBF | MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6 |
| IRLZ14STRRPBF | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR8503TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8711CPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 25 V 68 W 13 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| IRLR8713PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 25V D-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 25V 100A DPAK |
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