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参数资料
| 型号： | IRLU014NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 265pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLU014NPBF |
IRLR/U014NPbF
VGS
TOP
15V
10V
2.7V
BOTTOM 2.5V
100
10
1
VGS
TOP 15V
12V
10V
7.0V
5.0V
4.5V
2.0V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
BOTTO M 2.5V
100
10
1
VG S
TO P 15V
12V
10V
7.0V
5.0V
4.5V
10V
5.0V
4.5 V
3.5 V
3.0 V
2.7V
BOTTOM 2.0V
2.5V
2.5V
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
2.5
I D = 10A
T J = 25 ° C
2.0
T J = 175 ° C
10
1.5
1.0
1
0.5
0.1
2.0
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
4.0 6.0 8.0 10.0
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
V GS = 10V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU3715PBF | MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK |
| TM7EP203 | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
| B32620A4223J | CAP FILM 0.022UF 400VDC RADIAL |
| 9C-18.432MEEJ-T | CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF SMD |
| B32521C1334J | CAP FILM 0.33UF 100VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLU014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU020 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251 |
| IRLU024 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU024A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251AA |
| IRLU024N | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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