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参数资料
| 型号： | IRLW640A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 18A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | IRLW640A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRLW14A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| IRLW24A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLW640ATM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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