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参数资料
| 型号： | IRLZ24NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLZ24NS |
IRLZ24NS/L
20
16
12
V GS
R G
5.0V
V DS
R D
D.U.T.
+
V - DD
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
8
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
4
0
A
V DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
T C , C ase T em perature (°C )
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
D = 0 .50
1
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
0 .0 2
0 .01
P D M
0.1
SIN G LE P U LSE
(TH ER M AL R ES PO N SE )
t
1
t2
N o te s :
1 . D u ty fa c to r D = t
1
/ t
2
0.01
2 . P e a k T J = P D M x Z th J C + T C
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , R ectan gu lar P ulse D u ratio n (se c)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU3303 | MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK |
| IRLU2703 | MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK |
| IRLU024N | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK |
| IRLR3103TR | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| IRLR3303TR | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLZ24NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRLZ24NSPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLZ24NSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRLZ24NSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLZ24NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
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