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参数资料
| 型号： | IRLZ24NSTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLZ24NS/L
Tape & Reel Information
D 2 Pak
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IRE CTIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )
4 .1 0 (.1 6 1 )
3 .9 0 (.1 5 3 )
1 .60 (.06 3)
1 .50 (.05 9)
1 1 .6 0 (.4 5 7 )
0 .3 68 (.0 1 4 5 )
0 .3 42 (.0 1 3 5 )
1 .6 5 (.0 6 5 )
1 1 .4 0 (.4 4 9 )
1 5 .4 2 (.6 0 9 )
1 5 .2 2 (.6 0 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TR L
1 .75 (.06 9 )
10 .9 0 (.42 9)
10 .7 0 (.42 1)
1 .25 (.04 9 )
16 .10 (.63 4 )
4 .7 2 (.1 3 6)
4 .5 2 (.1 7 8)
15 .90 (.62 6 )
F E E D D IRE C TIO N
NO TES :
33 0.00
(1 4.1 73)
MA X.
13.50 (.532 )
12.80 (.504 )
2 7.4 0 (1.079)
2 3.9 0 (.9 41)
4
60.00 (2.3 62)
MIN .
3 0.40 (1.1 97)
MAX.
1. C O M F O R M S TO E IA -4 18.
2. C O N TR O LLIN G D IM E N S IO N : M ILL IM ET ER .
3. D IM E N S IO N ME A S U R E D @ H U B .
4. IN C LU D E S F LA N G E D IS TO R T IO N @ O U T E R E D G E .
26 .40 (1.03 9)
24 .40 (.961 )
3
4
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 5/98
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T491B336M006AT | CAP TANT 33UF 6.3V 20% 1411 |
| T491B336K006AT | CAP TANT 33UF 6.3V 10% 1411 |
| SCB15P15A-5CA | SWITCH PUSH SPDT 15A 125V |
| RJ6F502 | TRIMMER 5K OHM 0.5W TH |
| UB15NBKW015C-JC | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLZ24NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRLZ24NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLZ24NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLZ24NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:55V 18.000A D2PAK - Tape and Reel |
| IRLZ24PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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