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参数资料
| 型号： | IRS2004STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1381 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2004STRPBFDKR |
IRS2004(S) PbF
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15 V, C L = 1000 pF and T A = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
ton
toff
tsd
tr
tf
DT
MT
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Shutdown propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Deadtime, LS turn-off to HS turn-on &
HS turn-on to LS turn-off
Delay matching, HS & LS turn-on/off
—
—
—
—
—
400
—
680
150
160
70
35
520
—
820
220
220
170
90
650
60
ns
V S = 0 V
V S = 200 V
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15 V and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The V IN , V TH, and I IN parameters are referenced to
COM. The V O and I O parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
Logic “1” (HO) & Logic “0” (LO) input voltage
2.5
—
—
V IL
V SD,TH+
V SD,TH-
V OH
V OL
I LK
Logic “0” (HO) & Logic “1” (LO) input voltage
SD input positive going threshold
SD input negative going threshold
High level output voltage, V BIAS - V O
Low level output voltage, V O
Offset supply leakage current
—
2.5
—
—
—
—
—
—
—
0.05
0.02
—
0.8
—
0.8
0.2
0.1
50
V
V CC = 10 V to 20 V
I O = 2 mA
V B = V S = 200 V
I QBS
I QCC
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
—
—
30
150
55
270
μ A
V IN = 0 V or 5 V
I IN+
I IN-
V CCUV+
V CCUV-
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
V CC supply undervoltage positive going
threshold
V CC supply undervoltage negative going
threshold
—
—
8
7.4
3
—
8.9
8.2
10
5
9.8
9
V
V IN = 5 V
V IN = 0 V
I O+
I O-
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
130
270
290
600
—
—
mA
V O = 0 V
PW ≤ 10 μ s
V O = 15 V
PW ≤ 10 μ s
www.irf.com
3
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