- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17297 > IRS2110PBF (International Rectifier)IC DRIVER HI/LO SIDE 500V 14-DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRS2110PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LO SIDE 500V 14-DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 130ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 500V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
IRS2110( - 1, - 2,S)PbF/IRS2113( - 1, - 2,S)PbF
11.0
10.0
Max.
5.00
4.00
9.0
3.00
Typ.
Min.
8.0
7.0
6.0
Typ.
Min.
2.00
1.00
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C) ( o C)
Temperature (°C) C)
( o
Temperature
Figure 25. V CC Undervoltage (-) vs. Temperature
5.00
4.00
5.00
4.00
Temperature
Figure 26A. Output Source Current
vs. Temperature
3.00
2.00
Typ.
3.00
2.00
Typ.
Min.
1.00
0.00
Min.
1.00
0.00
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 26B. Output Source Current vs. Voltage
Temperature ( o C)
Figure 27A. Output Sink Current
vs. Temperature
5.00
4.00
150
125
100
320 V
140 V
3.00
75
2.00
Typ.
50
10 V
1.00
0.00
Min.
25
0
10
12
14
16
18
20
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 27B. Output Sink Current vs. Voltage
www.irf.com
Frequency (kHz)
Figure 28. IRS2110/IRS2113 T J vs. Frequency
(IRFBC20) R GATE = 33 ? , V CC = 15 V
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2113PBF | IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP |
| R1S12-2412/H-R | CONV DC/DC 1W 24VIN 12VOUT |
| EEM24DTAN | CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD |
| IR2010PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP |
| R1S12-2409/H-R | CONV DC/DC 1W 24VIN 09VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2110SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2110STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2111PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Fixed 650ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2111SPbF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2111STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Fixed 650ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。