参数资料
型号: IRS2110STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 13/19页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC
标准包装: 1
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 130ns
电流 - 峰: 2.5A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 500V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 标准包装
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IRS2110STRPBFDKR
IRS2110( - 1, - 2,S)PbF/IRS2113( - 1, - 2,S)PbF
11.0
10.0
Max.
5.00
4.00
9.0
3.00
Typ.
Min.
8.0
7.0
6.0
Typ.
Min.
2.00
1.00
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C) ( o C)
Temperature (°C) C)
( o
Temperature
Figure 25. V CC Undervoltage (-) vs. Temperature
5.00
4.00
5.00
4.00
Temperature
Figure 26A. Output Source Current
vs. Temperature
3.00
2.00
Typ.
3.00
2.00
Typ.
Min.
1.00
0.00
Min.
1.00
0.00
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 26B. Output Source Current vs. Voltage
Temperature ( o C)
Figure 27A. Output Sink Current
vs. Temperature
5.00
4.00
150
125
100
320 V
140 V
3.00
75
2.00
Typ.
50
10 V
1.00
0.00
Min.
25
0
10
12
14
16
18
20
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 27B. Output Sink Current vs. Voltage
www.irf.com
Frequency (kHz)
Figure 28. IRS2110/IRS2113 T J vs. Frequency
(IRFBC20) R GATE = 33 ? , V CC = 15 V
13
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PDF描述
RBA10DTKH CONN EDGECARD 20POS DIP .125 SLD
RBA10DTKD CONN EDGECARD 20POS DIP .125 SLD
R1S8-0509 CONV DC/DC 1W 05VIN 09VOUT
HKQ0603S3N7C-T INDUCTOR HI FREQ 3.7NH 0201
R1S-123.3 CONV DC/DC 1W 12VIN 3.3VOUT
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参数描述
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IRS2111STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Fixed 650ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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