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参数资料
| 型号： | IRS2113STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 130ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2113STRPBFDKR |
IRS2110( - 1, - 2,S)PbF/IRS2113( - 1, - 2,S)PbF
11.0
10.0
Max.
5.00
4.00
9.0
3.00
Typ.
Min.
8.0
7.0
6.0
Typ.
Min.
2.00
1.00
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C) ( o C)
Temperature (°C) C)
( o
Temperature
Figure 25. V CC Undervoltage (-) vs. Temperature
5.00
4.00
5.00
4.00
Temperature
Figure 26A. Output Source Current
vs. Temperature
3.00
2.00
Typ.
3.00
2.00
Typ.
Min.
1.00
0.00
Min.
1.00
0.00
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 26B. Output Source Current vs. Voltage
Temperature ( o C)
Figure 27A. Output Sink Current
vs. Temperature
5.00
4.00
150
125
100
320 V
140 V
3.00
75
2.00
Typ.
50
10 V
1.00
0.00
Min.
25
0
10
12
14
16
18
20
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 27B. Output Sink Current vs. Voltage
www.irf.com
Frequency (kHz)
Figure 28. IRS2110/IRS2113 T J vs. Frequency
(IRFBC20) R GATE = 33 ? , V CC = 15 V
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSM02DSAN | CONN EDGECARD 4POS R/A .156 SLD |
| RMM02DSAN | CONN EDGECARD 4POS R/A .156 SLD |
| ASPI-0804T-470M-T | INDUCTOR POWER 47UH 0804 SMD |
| 591D685X9025D2T15H | CAP TANT 6.8UF 25V 10% 2917 |
| TDC335K035NSF-F | CAP TANT 3.3UF 35V 10% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2117 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SINGLE CHANNEL DRIVER |
| IRS21171 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SINGLE CHANNEL DRIVER |
| IRS21171SPBF | 功能描述:功率驱动器IC Single Ch DRVR 600V 290mA High Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21171STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi-Sd Drvr IC 1Ch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2117PBF | 功能描述:功率驱动器IC Sngl Hi Sd Drvr NonInvrt Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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