参数资料
型号: IRS2124STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/18页
文件大小: 0K
描述: IC DVR HI SIDE 600V 500MA 8-SOIC
标准包装: 1
配置: 高端
输入类型: 反相
延迟时间: 140ns
电流 - 峰: 500mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 标准包装
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IRS2124STRPBFDKR
IRS2123S, IRS2124S
Description
The IRS2123S/IRS2124S are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers. Proprietary
HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is
compatible with standard CMOS outputs. The output drivers feature a high pulse current buffer stage
designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power
MOSFET or IGBT in the high- side configuration which operates up to 600 V.
www.irf.com
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? 2008 International Rectifier
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PDF描述
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参数描述
IRS21271PBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21271SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21271STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2127PBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2127SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube