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参数资料
| 型号： | IRS2127STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 150ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 12 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2127STRPBFDKR |
Data Sheet No. PD 60299
IRS212(7, 71, 8, 81)(S)PbF
CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
Product Summary
?
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
Application-specific gate drive range:
Motor Drive: 12 V to 20 V (IRS2127/IRS2128)
V OFFSET
I O +/-
600 V max.
200 mA / 420 mA
?
?
?
?
?
?
Automotive: 9 V to 20 V (IRS21271/IRS21281)
Undervoltage lockout
3.3 V, 5 V, and 15 V input logic compatible
FAULT lead indicates shutdown has occured
Output in phase with input (IRS2127/IRS21271)
Output out of phase with input (IRS2128/IRS21281)
RoHS compliant
V OUT 12 V - 20V 9 V - 20 V
V CSth 250 mV or 1.8 V
(IRS2127/IR2128) (IRS21271/IR21281)
t on/off (typ.) 15 0 ns & 150 ns
Description
The IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281 are
high voltage, high speed power MOSFET and IGBT
drivers. Proprietary HVIC and latch immune CMOS
technologies enable ruggedized monolithic construc-
tion. The logic input is compatible with standard
CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3 V. The protec-
tion circuity detects over-current in the driven power
Packages
transistor and terminates the gate drive voltage. An
open drain FAULT signal is provided to indicate that
8-Lead PDIP
8-Lead SOIC
an over-current shutdown has occurred. The output
driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating chan-
nel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side or low-side configuration which
operates up to 600 V.
Typical Connection
V CC
IN
FAULT
V CC
IN
FAULT
COM
V B
HO
CS
V S
IRS2127/IRS21271
V CC
V CC
V B
(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration).
These diagrams show electrical connections only. Please
refer to our Application Notes and DesignTips for proper
circuit board layout.
www.irf.com
IN
FAULT
IN
FAULT
COM
HO
CS
V S
IRS2128/IRS21281
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCM15DCMT | CONN EDGECARD 30POS .156 WW |
| EEM22DRMH | CONN EDGECARD 44POS .156 WW |
| 195D105X9035S4T | CAP TANT 1UF 35V 10% 1507 |
| GSM10DRTN | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| 243R3C | INDUCTOR 3.3UH 2.4A SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21281PBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21281SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21281STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2128PBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2128SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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