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参数资料
| 型号： | IRS21850SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HIGH SIDE SGL 600V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 160ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IRS21850S
Dynamic Electrical Characteristics
(V CC -COM)= (V B -VS) =15 V, T A = 25 oC. C L = 1000 pF unless otherwise specified. All parameters are
referenced to COM.
Symbol
ton
toff
tr
tf
Definition
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Min
---
---
---
---
Typ
160
160
15
15
Max
210
210
40
40
Units
ns
Test Conditions
(V S -COM)= 0 V
(V S -COM)= 600 V
Static Electrical Characteristics
(V CC -COM)= (V B -V S) =15 V. The V IN , V TH , and I IN parameters are referenced to COM. The V O and I O
parameters are referenced respective VS and are applicable to the respective output leads HO. The V CC
parameters are referenced to COM. The V BSUV parameters are referenced to V S .
Symbol
V CCUV +
V CCUV -
V BSUV +
V BSUV -
I LK
I QBS
I QCC
V IH
V IL
V OH , HO
V OL , HO
I IN +
I IN -
I O +, HO
I O -, HO
Definition
V CC supply undervoltage positive going
threshold
V CC supply undervoltage negative going
threshold
V BS supply undervoltage positive going
threshold
V BS supply undervoltage negative going
threshold
High-side floating well offset supply
leakage current
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
Logic “1” input voltage
Logic “0” input voltage
HO high level output voltage, V BIAS – V O
HO low level output voltage, V O
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
Output high short circuit pulsed current
HO
Output low short circuit pulsed current
HO
Min
8.0
7.4
8.0
7.4
—
—
—
2.5
—
—
—
—
—
—
—
Typ
8.9
8.2
8.9
8.2
—
80
120
—
—
20
10
10
0
4
4
Max
9.8
9.0
9.8
9.0
50
150
240
—
0.8
60
30
20
5
—
—
Units
V
μA
V
mV
μA
A
Test Conditions
V B = V S = 600 V
HIN = 0 V or 5 V
I O = 2 mA
V HIN = 5 V
V HIN = 0 V
V O = 0 V, V IN = 0V
PW ≤ 10 μs
V O = 15 V, V IN =
15V PW ≤ 10 μs
www.irf.com
6
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS21851SPBF | IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8-SOIC |
| IRS21853STRPBF | IC DRIVER HIGH SIDE DUAL 16-SOIC |
| IRS21856SPBF | IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 14-SOIC |
| IRS21858SPBF | IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 16-SOIC |
| IRS21864STRPBF | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 14SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21850STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21851SPbF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21851SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Driver IC 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8 |
| IRS21851STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21852SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DUAL MODE LOW SIDE RAMP DRIVER - Rail/Tube |
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