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参数资料
| 型号： | IRS21856SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 14-SOIC |
| 标准包装： | 55 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 150ns |
| 电流 - 峰： | 500mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IRS21856S
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All
voltage parameters are absolute voltages referenced to COM .
Symbol Definition
Min
Max
Units
V CC
V IN
V LO
V DV ,
V VREF
V VSE ,
V RES
V B
V S
V HO1
Low side supply voltage
Logic input voltage (HIN1, HIN2, LIN3)
Low side gate drive output voltage
High side inputs voltage
High side inputs voltage
High side floating well supply voltage
High side floating well supply return voltage
Floating gate drive output voltage
-0.3
COM-0.3
COM-0.3
VS-0.3
VS-0.3
-0.3
VB-25
VS-0.3
25
VCC +0.3
VCC +0.3
VB+0.3
VB+0.3
625
VB+0.3
VB+0.3
V
V
V
V
V
V
V
V
dV S /dt Allowable VS offset supply transient relative to COM
-
50
V/ns
P D
R θ JA
T J
T S
T L
Package Power Dissipation @ TA<=+25oC
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Lead temperature (Soldering, 10 seconds)
-
-
-55
-55
-
1.0
120
150
150
300
W
oC/W
oC
oC
oC
Recommended Operating Conditions
For proper operation, the device should be used within the recommended conditions. All voltage parameters
are absolute voltages referenced to COM . The offset rating are tested with supplies of (VCC-COM) = (VB-
VS)=15V.
Symbol
V CC
V IN
V LO3
V B
V RES
V DV
V VREF, VSE
V S
V HO1
T A
Definition
Low side supply voltage
HIN1, HIN2, LIN3 input voltage
Low side gate drive output voltage
High side floating well supply voltage
RES input voltage
DV input voltage
VREF and VSE input voltage
High side floating well supply offset voltage
Floating gate drive output voltage
Ambient Temperature
Min
10
COM
COM
V S +10
V S
V S
V S
Note2??
V S
-40
Max
20
V CC
V CC
V S +20
V B
V B
V B -3
600
V B
125
Units
V
V
V
V
V
V
V
V
V
oC
?
??
V S and V B voltages will be tolerant to short negative transient spikes. These will be defined and
specified in the future.
Logic operation for Vs of -5 to 600V. Logic state held for Vs of -5V to –V BS . (Please refer to Design Tip
DT97-3 for more details).
www.irf.com
8
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS21858SPBF | IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 16-SOIC |
| IRS21864STRPBF | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 14SOIC |
| IRS21867SPBF | IC MOSFET DRIVER |
| IRS21952SPBF | IC DVR HISIDE DUAL LOSIDE 16SOIC |
| IRS21953SPBF | IC DVR HISIDE DUAL LOSIDE 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21856STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Ramp Slope Cntrl Driver Hi Volt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21858SPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hig Dual Side DRVR 600V 290mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21858STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Dual Drvr IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2186 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IRS21864PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr capbl of 4A & 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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