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参数资料
型号： IRS21864STRPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 14/27页
文件大小： 0K
描述： IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 14SOIC
标准包装： 1
配置： 高端和低端，独立
输入类型： 非反相
延迟时间： 170ns
电流 - 峰： 4A
配置数： 1
输出数： 2
高端电压 - 最大（自引导启动）： 600V
电源电压： 10 V ~ 20 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 14-SOIC（窄型）
包装： 标准包装
产品目录页面： 1382 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： IRS21864STRPBFDKR
IRS2186(4)(S)PBF
Figure 14A. V CC Supply Current vs. Temperature
Figure 15A. Logic “1” Input Bias Current vs.
Temperature
Figure 14B. V CC Supply Current vs. Supply Voltage
Figure 15B. Logic “1” Input Bias Current vs.
Supply Voltage
14
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
April 29, 2013
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PDF描述
IRS21867SPBF IC MOSFET DRIVER
IRS21952SPBF IC DVR HISIDE DUAL LOSIDE 16SOIC
IRS21953SPBF IC DVR HISIDE DUAL LOSIDE 16SOIC
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相关代理商/技术参数
参数描述
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IRS21867SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 4.0A 170ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21867STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi CUR Iout = 4A robust HS/LS Gt Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21867STRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, IGBT / MOSFET, 170 ns, SOIC-8
IRS2186PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr capbl of 4A & 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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