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参数资料
| 型号： | IRS2186PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 170ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
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IRS2186(4)(S)PBF
Figure 10A. High Level Output Voltage vs.
Temperature (Io = 0mA)
Figure 11A. Low Level Output vs. Temperature
Figure 10B. High Level Output Voltage vs. Supply
Voltage (Io = 0mA)
Figure 11B. Low Level Output vs. Supply Voltage
12
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
April 29, 2013
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2186PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Driver IC 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, DIP-8 |
| IRS2186SPbF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 10V to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2186STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr capbl of 4A & 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21952SPBF | 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 380ns 0.5A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21952STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd & Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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