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参数资料
| 型号： | IRS2186SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 170ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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IRS2186(4)(S)PBF
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage
parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are
measured under board mounted and still air conditions.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
V SS
dV S / dt
Definition
High side floating absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage (HIN & LIN)
Logic ground (IRS21864)
Allowable offset supply voltage transien t
8 lead PDIP
Min.
-0.3
V B - 20
V S - 0.3
-0.3
-0.3
V SS - 0.3
V CC - 20
—
—
Max.
?
620
V B + 0.3
V B + 0.3
?
20
V CC + 0.3
V CC + 0.3
V CC + 0.3
50
1
Units
V
V/ns
P D
Package power dissipation
@ T A ≤ +25°C
8 lead SOIC
14 lead PDIP
—
—
0.625
1.6
W
14 lead SOIC
8 lead PDIP
—
—
1
125
Rth JA
Thermal resistance, junction to
ambient
8 lead SOIC
14 lead PDIP
—
—
200
75
°C/W
14 lead SOIC
—
120
T J
Junction temperature
—
150
T S
T L
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
-50
—
150
300
°C
Recommended Operating Conditions
The input/output logic timing diagram is shown in figure 1. For proper operation the device should be used within
the recommended conditions. The V S and V SS offset rating is tested with all supplies biased at 15 V differential.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
V SS
T A
Definition
High side floating absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage (HIN & LIN)
Logic ground (IRS21864)
Ambient temperature
Min.
V S + 10
??
V S
10
0
V SS
-5
-40
Max.
V S + 20
600
V B
20
V CC
V CC
5
125
Units
V
°C
?
??
All supplies are fully tested at 25 V and an internal 20 V clamp exists for each supply
Logic operational for V S of -5 V to 600 V. Logic state held for V S of -5 V to – V BS (Please refer to the Design Tip DT97-3
for more details)
4
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
April 29, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2186STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr capbl of 4A & 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21952SPBF | 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 380ns 0.5A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21952STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd & Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21953SPBF | 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 380ns 0.5A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21953STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd & Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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