参数资料
型号: IRS21952STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 13/17页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HI/LO SIDE DUAL 16SOIC
标准包装: 1
配置: 高端和低端,同步
输入类型: 非反相
延迟时间: 330ns
电流 - 峰: 500mA
配置数: 2
输出数: 3
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 标准包装
其它名称: IRS21952STRPBFDKR
IRS21952SPBF
12
11
12
11
10
9
8
7
6
Max.
Typ.
Min.
10
9
8
7
6
Max
Typ.
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Figure 16. Vcc Undervoltage Threshold (+)
vs. Tem perature
12
11
12
11
Temperature ( o C)
Figure 17. V CC Undervoltage Threshold (-)
vs. Tem perature
10
9
8
Max.
Typ.
Min.
10
9
8
Max
Typ.
7
6
7
6
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Figure 18. V BS Undervoltage Threshold (+)
vs. Tem perature
7.00
6.00
Max.
5.00
Typ.
7
6
5
Temperature ( o C)
Figure 19. V BS Undervoltage Threshold (-)
vs. Tem perature
4.00
4
Max.
3.00
Min.
3
Typ.
Min.
2.00
1.00
2
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
o
Figure 20. V DD Undervoltage Threshold (+)
vs. Tem perature
Temperature ( o C)
Figure 21. V DD Undervoltage Threshold (-)
vs. Tem perature
13
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PDF描述
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