参数资料
型号: IRS21962SPBF
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16-SOIC
标准包装: 45
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 90ns
电流 - 峰: 500mA
配置数: 2
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
IRS21962S
Description
The IRS21962 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with propagation delay matched
output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic
construction. The floating logic input is compatible with standard 5 V CMOS or LSTTL logic and can be
operated up to 600 volts above the COM ground. The output driver feature a 500 mA high pulse current buffer
stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel
power MOSFET or IGBT in the high side configuration, which operates up to 600 V above COM ground.
www.irf.com
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? 2008 International Rectifier
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PDF描述
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参数描述
IRS21962STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Dual Hi Side Drvr W/floating input RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2301PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER
IRS2301SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 120mA 220ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2301STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On NonInvrt Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2302PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER