参数资料
型号: IRS2308SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 17/21页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE 600V 8SOIC
标准包装: 95
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 220ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
IRS2308(S)PbF
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Frequency (kHz)
Figure 25. IRS2308 vs. Frequency (IRFBC20),
R gate =33 ? , V CC =15 V
Frequency (kHz)
Figure 26. IRS2308 vs. Frequency (IRFBC30),
R gate =22 ? , V CC =15 V
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Frequency (kHz)
Figure 27. IRS2308 vs. Frequency (IRFBC40),
R gate =15 ? , V CC =15 V
www.irf.com
Frequency (kHz)
Figure 28. IRS2308 vs. Frequency (IRFPE50),
R gate =10 ? , V CC =15 V
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PDF描述
LBC3225T1R5MR INDUCTOR WOUND 1.5UH 1.0A 1210
REC5-2415DRW/H/B/M CONV DC/DC 5W 18-36VIN +/-15VOUT
0210490751 CABLE JUMPER 1.25MM .102M 7POS
0210490750 CABLE JUMPER 1.25MM .102M 7POS
LBC2012T1R0M INDUCTOR WOUND 1.0UH 620MA 0805
相关代理商/技术参数
参数描述
IRS2308STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Drvr Hi Volt & Hi Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2330DJPBF 功能描述:功率驱动器IC 3-Ph Bridge Driver 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2330DJTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2330DSPBF 功能描述:功率驱动器IC 3-Ph Bridge Driver 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2330DSTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube