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参数资料
| 型号： | IRS2308STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 20/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF BRIDGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 220ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRS2308(S)PbF
Tape & Reel
LOAD ED TA PE FEED DIRECTION
8-Lead SOIC
B
A
H
D
F
N OT E : CO NTROLLING
C
D IMENSION IN MM
E
G
C A R R I E R T A P E D IM E N S I O N F O R 8 S O I C N
M e tr ic Im p er i al
C o d e M i n M ax M i n M a x
A 7 .9 0 8 .1 0 0. 3 1 1 0 .3 18
B 3 .9 0 4 .1 0 0. 1 5 3 0 .1 61
C 1 1 .7 0 1 2 . 3 0 0 .4 6 0 .4 84
D 5 .4 5 5 .5 5 0. 2 1 4 0 .2 18
E 6 .3 0 6 .5 0 0. 2 4 8 0 .2 55
F 5 .1 0 5 .3 0 0. 2 0 0 0 .2 08
G 1 .5 0 n / a 0. 0 5 9 n/ a
H 1 .5 0 1 .6 0 0. 0 5 9 0 .0 62
F
D
C
B
A
E
G
H
R E E L D IM E N S I O N S F O R 8 S O IC N
M e tr ic Im p er i al
C o d e M i n M ax M i n M a x
A 32 9. 60 3 3 0 .2 5 1 2 .9 7 6 13 .0 0 1
B 2 0 .9 5 2 1 . 4 5 0. 8 2 4 0 .8 44
C 1 2 .8 0 1 3 . 2 0 0. 5 0 3 0 .5 19
D 1 .9 5 2 .4 5 0. 7 6 7 0 .0 96
E 9 8 .0 0 1 0 2 .0 0 3. 8 5 8 4 .0 15
F n /a 1 8 . 4 0 n /a 0 .7 24
G 1 4 .5 0 1 7 . 1 0 0. 5 7 0 0 .6 73
H 1 2 .4 0 1 4 . 4 0 0. 4 8 8 0 .5 66
www.irf.com
20
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRS2330DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| IRS2330DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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