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参数资料
| 型号： | IRS2330DJTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 17/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2330DJTRPBFDKR |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
Figure 15: IRS233(0,2)(D) input filter characteristic
Figure 16: Difference between the input pulse and the output pulse
Integrated Bootstrap Functionality
The new IRS233(0,2)D family features integrated high-voltage bootstrap MOSFETs that eliminate the need of the external
bootstrap diodes and resistors in many applications.
There is one bootstrap MOSFET for each high-side output channel and it is connected between the V CC supply and its
respective floating supply (i.e., V B1 , V B2 , V B3 ); see Figure 17 for an illustration of this internal connection.
The integrated bootstrap MOSFET is turned on only during the time when LO is ‘high’, and it has a limited source current due
to R BS . The V BS voltage will be charged each cycle depending on the on-time of LO and the value of the C BS capacitor, the
drain-source (collector-emitter) drop of the external IGBT (or MOSFET), and the low-side free-wheeling diode drop.
The bootstrap MOSFET of each channel follows the state of the respective low-side output stage (i.e., the bootstrap MOSFET
is ON when LO is high, it is OFF when LO is low), unless the V B voltage is higher than approximately 110% of V CC . In that
case, the bootstrap MOSFET is designed to remain off until V B returns below that threshold; this concept is illustrated in Figure
18.
www.irf.com
17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR21064SPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14SOIC |
| IR2108SPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC |
| IRS2336JTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 44-PLCC |
| IR2112PBF | IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP |
| IRS2308SPBF | IC DRIVER HALF-BRIDGE 600V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Ph Bridge Driver 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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