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参数资料
| 型号： | IRS2332DJPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 39/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR 3-PHASE BRIDGE PLCC44 |
| 标准包装： | 27 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 管件 |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
Change History
Revision Date
0.0 10/17/07
0.1 03/05/08
0.2 03/18/08
0.3 03/18/08
0.4 03/26/08
0.5 03/27/08
0.6 03/27/08
0.7 03/28/08
0.8 04/02/08
Change comments
Initial data sheet converted from IRS2130xD data sheet
Initial Review
Included tri-temp plots
Updated test conditions
Updated limits using DR3 Limits table
Included application notes
Updated minor errors and completed review for DR3
Corrected reflow temperature for PLCC44 to 245 ° C
Added Integrated Operational Amplifier feature on front page
and RoHS compliant.
0.9
1.0
1.1
1.2
04/11/08
04/15/08
04/16/08
04/28/08
May 8, 08
Corrected logic level compatible on Page1 from 2.5V to 3.3V
Added MDT parameter
Updated MDT spec. and changed latch-up level to A
Removed typical MDT spec.; MDT expected to be zero and
cannot be more than maximum spec.
Changed file format from “rev1.2” to May 8, 2008. Corrected
part number in Fig. 15
July 8, 08
June 1, 11
www.irf.com
changed Iqcc test condition to Vin=4V from 0V.
Add bootstrap fet limitation
39
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM12DCBH-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
| QYX2A223KTP | CAP FILM 0.022UF 100VDC RADIAL |
| 3292L-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.5W LEADS |
| NRS4012T4R7MDGJ | INDUCTOR POWER 4.7UH 1.5A SMD |
| R1D-2405 | CONV DC/DC 1W 24VIN +/-05VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2332DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Ph Bridge Driver 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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