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参数资料
| 型号： | IRSF3010 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET SMART SW 50V 11A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 70 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 14A |
| 电流 - 峰值输出： | 20A |
| 电源电压： | 1.5 V ~ 10 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 155°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRSF3010 |
IRSF3010
The typical waveforms at 7V input voltage are shown
in figure 22. In typical switching applications, below
40kHz, the difference in switching losses between the
IRSF3010 and the same size standard MOSFET is
negligible.
Input voltage 5V/
Drain voltage 5V/
The typical waveforms at over-current shut-down are
shown in figure 23. After turn-on the current in the
inductor at the drain starts ramping up. At about 15A
the over-current protection shuts down the device.
Over-temperature Protection
Figure 24 illustrates the operation of the over-tempera-
ture protection. The IRSF3010 switches a 1 ? resis-
tive load to a 12V power supply. When the thermal
balance is established the junction temperature is lim-
ited on pulse by pulse basis.
Input voltage 10V/div.
Drain Current: 1A/
Drain voltage 5V/div.
Time: 1 μ sV/div.
Fig. 22 Switching waveforms with 7V Input
voltage
Over-current Protection
When the drain current exceeds the preset limit the
protection circuit resets the internal flip-flop and turns
Q1 off. The normal operation can be restored by hold-
ing the input voltage below the specified threshold level
(approx. 1.3V) for the specified minimum treset time.
Input voltage 5V/div.
Drain voltage 5V/div.
Drain Current: 2A/div.
Drain Current: 2A/div.
Time: 10 μ sV/div.
Fig. 24 Over-temperature shut-down
Over-voltage Protection
When the drain to source voltage exceeds 55V the
zener diode between gate and drain turns the
IRSF3010 on, before the breakdown voltage of the
drain-source diode is reached. This greatly enhances
the energy the device can withstand safely during turn-
off of inductive loads compared to avalanche break-
down. Thus the device can be used for fast de-
energization of inductive loads. The absorbed energy
is limited only by the maximum junction temperature.
Time: 10 μ sV/div.
Fig. 23 Waveforms at over-current shut-down
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http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 12/96
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