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参数资料
| 型号： | IS41C16256-35T |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 35 ns, PDSO40 |
| 封装： | 0.400 INCH, MS-24, TSOP2-40/44 |
| 文件页数： | 13/20页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C16256-35T |
IS41C16256
IS41LV16256
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
13
EDO-PAGE-MODE READ CYCLE
Note:
1. t
PC
can be measured from falling edge of
CAS
to falling edge of
CAS
, or from rising edge of
CAS
to rising edge of
CAS
. Both
measurements must meet the t
PC
specifications.
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CAS,
t
CLCH
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CP
t
CAS,
t
CLCH
t
CAH
t
CAS,
t
CLCH
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
PC
(1)
t
ASR
t
RAH
t
RAD
t
AR
Column
Column
t
CAH
t
CAH
Column
t
ASC
t
ASC
OE
I/O
WE
Open
Open
Valid Data
t
AA
t
AA
t
CPA
t
CAC
t
CLZ
t
CAC
t
COH
t
RAC
t
OEP
t
OE
t
OES
t
OES
t
OD
t
OE
t
OEHC
Valid Data
t
RCH
t
RRH
t
AA
t
CPA
t
CAC
t
CLZ
t
OFF
Valid Data
t
OD
t
ASC
t
RCS
Undefined
Don’t Care
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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