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参数资料
| 型号： | IS41C16256-60K |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K × 16（4兆位）的动态与江户页面模式内存 |
| 文件页数： | 16/20页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C16256-60K |
IS41C16256
IS41LV16256
16
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE
(Psuedo READ-MODIFY WRITE)
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CRP
t
RCD
t
PC
t
CSH
t
CP
t
CAH
t
CAS
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
ACH
t
RAH
t
RAD
t
AR
t
ASR
Column (A)
Column (N)
t
CAH
t
CAH
Column (B)
t
ASC
t
ASC
t
CAS
t
CAS
OE
I/O
WE
t
ASC
t
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t
RCH
t
DH
Open
Open
Valid Data (A)
t
OE
t
WCS
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COH
D
IN
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CPA
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RAC
t
AA
t
PC
Valid Data (B)
t
WHZ
t
DS
t
RCS
t
AA
Don’t Care
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IS41C16256-60TI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C-35TLI | 功能描述:动态随机存取存储器 4M, 5V, EDO 动态随机存取存储器 35ns, 40 pin TSOP II RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
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