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参数资料
| 型号： | IS41C16256-60T |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K × 16（4兆位）的动态与江户页面模式内存 |
| 文件页数： | 10/20页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C16256-60T |
IS41C16256
IS41LV16256
10
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
READ CYCLE
Note:
1. t
OFF
is referenced from rising edge of
RAS
or
CAS
, whichever occurs last.
t
RAS
t
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Column
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Open
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t
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(1)
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RAC
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OES
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OE
t
OD
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Don’t Care
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41LV16256 | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| IS41LV16256-50T | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS41C16256-60TI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C-35TLI | 功能描述:动态随机存取存储器 4M, 5V, EDO 动态随机存取存储器 35ns, 40 pin TSOP II RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
| IS41C16256C-35TLI-TR | 功能描述:动态随机存取存储器 4M, 5V, EDO 动态随机存取存储器 Async,256Kx16,35ns RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
| IS41C16257 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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