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参数资料
型号： IS41C16256-60T
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： DRAM
英文描述： 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封装： 0.400 INCH, MS-24, TSOP2-40/44
文件页数： 12/20页
文件大小： 215K
代理商： IS41C16256-60T
IS41C16256
IS41LV16256
12
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
READ WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE Cycles)
t
RAS
t
RWC
t
RP
t
AR
t
CAH
t
ASC
t
RAD
t
RAH
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RAL
t
ACH
WE
OE
ADDRESS
UCAS-LCAS
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Row
Column
Row
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RWL
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CLZ
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DS
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DH
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OEH
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OD
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OE
t
RAC
t
AA
I/O
Open
Open
Valid D
OUT
Valid D
IN
Undefined
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相关PDF资料
PDF描述
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