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参数资料
| 型号： | IS41C8512-60TI |
| 英文描述： | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 为512k × 8（4兆位）的动态与江户页面模式内存 |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C8512-60TI |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IS41LV8512 | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV8512-35K | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV8512-35KI | 512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS42S16400 | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S16400L | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS41DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Inductive Sensor |
| IS41K | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NO |
| IS41KS | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:958601820 SENS.IND. 10-30VDC NPN NO |
| IS41L | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NO |
| IS41LV16100 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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